第三類半導體碳化矽(SiC)

      半絕緣型基板

      • SI型(半絕緣型) 基板 4”, 6”

        電阻 : 高電阻率>1E6 Ω-cm
        尺寸 : 4-6吋
        厚度 : 晶圓500 um
        特點 : 提高射頻元件功率、優異溫度、熱傳導性與電場擊穿性能，相較於矽元件提高10倍功率密度
        應用 : 高頻/高功率元件、新一代5G通信、交通
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