第三類半導體碳化矽(SiC)

      N-type導電型晶錠

      • 8吋 N-type導電型晶錠

        電阻 : 低電阻率 13-30 mΩ-cm
        尺寸 : 8吋
        厚度 : 晶圓350&500 um / 晶錠10-20 mm
        特點 : 元件體積可縮小、超高工作電壓及切換頻率、高溫下元件較穩定
        應用 : 電動車、電源供應器、鐵路運輸、太陽能逆變器、AI 資料中心

        規格書索取: sales.taisicmaterials.com

      • 6" N-Type 導電型晶錠

        電阻 : 低電阻率 13-30 mΩ-cm
        尺寸 : 8吋
        厚度 : 晶錠10-20 mm
        等級: P-MOSFET/ P-SBD / Dummy
        特點 : 元件體積可縮小、超高工作電壓及切換頻率、高溫下元件較穩定
        應用 : 電動車、電源供應器、鐵路運輸、太陽能逆變器、AI 資料中心

        規格書索取: sales.taisicmaterials.com