第三類半導體碳化矽(SiC)

      導電型晶錠

      • SI型(半絕緣型) 基板 4”, 6”

        電阻 : 高電阻率>1E6 Ω-cm
        尺寸 : 4-6吋
        厚度 : 晶圓500 um
        特點 : 提高射頻元件功率、優異溫度、熱傳導性與電場擊穿性能，相較於矽元件提高10倍功率密度
        應用 : 高頻/高功率元件、新一代5G通信、交通
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      • N-Type SiC Ingot 1

        N-Type SiC Ingot 2

      • N-Type SiC Ingot 2

        N-Type SiC Ingot 1

      • N型(導電型) 基板4”, 6”

        電阻 : 低電阻率 13-30 mΩ-cm
        尺寸 : 6吋
        厚度 : 晶圓350 um / 晶錠10-20 mm
        特點 : 元件體積可縮小、超高工作電壓及切換頻率、高溫下元件較穩定
        應用 : 電動車、電源供應器、鐵路運輸、太陽能逆變器
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