抵抗率： 高抵抗率 > 1 × 10⁶ Ω·cm
サイズ： 4～8インチ
厚さ： ウェハ 500 μm
特長：
RFデバイスの高出力化に貢献し、優れた高温特性、熱伝導性、絶縁破壊電界特性を有します。シリコンデバイスと比較して、最大10倍の高い電力密度を実現します。
用途：
高周波・高出力デバイス、次世代5G通信、交通・モビリティ分野
仕様書のお問い合わせ：sales.taisicmaterials.com
第3世代半導体：炭化ケイ素（SiC）
半絶縁性SiC基板
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半絶縁性SiC基板 | 4インチ / 6インチ / 8インチ