第3世代半導体：炭化ケイ素（SiC）

      N型導電性SiCインゴット

      • 8インチ N型導電性SiCインゴット

        抵抗率： 低抵抗率 13～30 mΩ·cm
        サイズ： 8インチ
        厚さ： ウェハ：350 / 500 μm、インゴット：10～20 mm

        特長：
        デバイスの小型化、超高電圧動作および高周波スイッチングを可能にし、高温環境下でも優れたデバイス安定性を実現します。

        用途：
        電気自動車（EV）、電源装置、鉄道輸送、太陽光発電用インバータ、AIデータセンター

      • 6インチ N型導電性SiCインゴット

        抵抗率： 低抵抗率 13～30 mΩ·cm
        サイズ： 8インチ
        厚さ： インゴット 10～20 mm
        グレード： P-MOSFET / P-SBD / Dummy

        特長：
        デバイスの小型化、超高電圧動作および高周波スイッチングを可能にし、高温環境下でも優れたデバイス安定性を実現します。

        用途：
        電気自動車（EV）、電源装置、鉄道輸送、太陽光発電用インバータ、AIデータセンター

        仕様書のお問い合わせ： sales.taisicmaterials.com