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鴻海、盛新材料に5億台湾ドルを出資し株式10％を取得　EV向けSiC基板の安定供給を目指す

【台北・7月8日／中央社】

鴻海（Foxconn）は8日午後、盛新材料（TAISIC Materials）の資金調達に参加すると発表した。傘下の鴻元國際投資を通じて、1株当たり100台湾ドルで500万株を取得し、総額5億台湾ドルを出資して、同社株式の10％を取得する。

鴻海は、今回の出資により、第三世代半導体である炭化ケイ素（SiC）のサプライチェーンにおける重要材料を確保すると説明した。SiC基板の安定供給を実現し、車載半導体分野における長期的な競争優位性の確立を目指す。

半導体は、鴻海が推進する「3＋3戦略」における3つの中核技術の一つである。既存の情報通信分野の顧客による小型ICの需要に対応するだけでなく、電気自動車（EV）産業においては、第三世代半導体の重要性がさらに高まっている。今後、SiC MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）は、EVの車載充電器（OBC）やDC-DCコンバーターなどに広く採用される見通しである。

鴻海は昨年、6インチウェハー工場を取得し、鴻揚半導體を設立した。今年中にSiC生産ラインの構築を完了する計画である。盛新材料との協業により、傘下の鴻揚半導體は、上流材料であるSiC基板の安定供給を確保することになる。

2020年に設立された盛新材料は、台湾において6インチの導電型（N型）および半絶縁型（SI）SiCウェハー基板の両方を生産できる数少ないメーカーの一つである。

また、高品質な結晶成長技術を有しており、今後、鴻海と盛新材料はSiCサプライチェーンにおいて、相互補完的な強みを発揮することが期待される。

鴻海の半導体S事業群の陳偉銘総経理は、SiCが電気自動車にとって重要な半導体材料であり、基板はSiCサプライチェーンの中核を担う重要材料であると述べた。

SiC基板は、SiCデバイスの製造コストに占める割合が高いだけでなく、デバイスの品質にも直接影響を与えることから、今回の出資を通じて重要な基板材料の安定供給を確保したい考えを示した。

盛新材料の謝明凱董事長は、盛新材料が廣運およびその子会社である太極によって共同設立されたSiC結晶成長メーカーであると説明した。

廣運が持つ結晶成長装置の内製化技術を活用することで、盛新材料はSiC基板に関する重要な技術力を確立している。

今回、鴻海からの出資を受けるとともに、鴻海傘下の鴻揚半導體によるSiC基板の品質認定を通じて、盛新材料の製品開発をさらに加速できると述べた。

今回の出資により、鴻海は盛新材料の第2位株主となる。筆頭株主は47.7％を保有する太極であり、廣運は約7.4％を保有する第3位株主となる。

また、盛新材料は今回の資金調達において、全新（2455）、中美鑫投資および日系企業の華稻からも新たな出資を受けた。

出典：台湾中央通訊社（CNA）

https://www.cna.com.tw/news/afe/202207080183.aspx